Züchten von monokristallinem Halbleiter-Silizium Die hochreinen Wärmefeldmaterialien von SIAMC spielen eine entscheidende Rolle bei der Herstellung von Silizium-Halbleiter-Einkristallöfen.SIAMC kann großformatige Wärmefeldmaterialien mit einer Größe von 36 Zoll oder mehr und einer Graphitreinheit von bis zu 5 p herstellen weiterlesen

Herstellung von elektronischem Polysilizium Die hochreinen Graphitkeimbrocken von SIAMC werden häufig bei der Herstellung von Polysilizium in elektronischer Qualität nach dem Siemens-Verfahren verwendet.Die Reinheitsanforderung an Samenstücke beträgt bis zu 5 ppm.Der Graphit von SIAMC erfüllt diese hohe Reinheitsanforderung und bietet hervorragende thermische Eigenschaften weiterlesen

Ionenimplantation und PlasmaätzenDie Graphitprodukte von SIAMC werden aufgrund ihrer hervorragenden Hitzebeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit, ihres geringen Verunreinigungsgehalts und ihrer Korrosionsbeständigkeit durch Ionenstrahlen häufig in Ionenimplantations- und Plasmaätzgeräten verwendet. Bei der Ionenimplantation wird hochreiner Graphit verwendet weiterlesen

Die Graphitkomponenten und Isoliermaterialien von EPI und MOCVDSIAMC werden aufgrund ihrer hervorragenden thermischen und mechanischen Eigenschaften häufig in Halbleiter-Epitaxiegeräten eingesetzt.Bei epitaktischen Wachstumsprozessen wird hochreiner Graphit für die Heißwandreaktorkomponenten wie Heizung, Suszeptor, weiterlesen