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  • Monokristalline Herstellung
    Ziehen von monokristallinen SiliziumblöckenSIAMC ist in der Lage, großformatige, hochreine Heißzonenmaterialien für N-Typ- und P-Typ-Wachstumsöfen für monokristallines Silizium mit Abmessungen von bis zu 36 Zoll und mehr herzustellen.Zu unseren Heißzonenmaterialien gehören Graphitkomponenten und Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe weiterlesen
  • Herstellung von Polysilizium
    Herstellung von Polysilizium Die Graphitprodukte von SIAMC spielen eine wichtige Rolle bei der Herstellung von Polysilizium mithilfe des Siemens-Verfahrens und der Wirbelschichttechnologie.Im Siemens-Verfahren halten unsere hochreinen Graphitkomponenten wie Saatfutter und Heizung extremen Temperaturen und chemischen Einflüssen stand weiterlesen
  • PECVD-Träger
    Photovoltaikzelle Das Graphitboot von PECVDSIAMC spielt eine entscheidende Rolle im PECVD-Beschichtungsprozess von Photovoltaikzellen.Bei einem röhrenförmigen PECVD-Beschichtungsprozess fungiert das Graphitschiffchen als Träger für Siliziumwafer.Die Qualität des Graphitschiffchens wirkt sich direkt auf die Gleichmäßigkeit und Farbkonsistenz aus weiterlesen
  • Wachstum von monokristallinem Halbleiter-Silizium
    Züchten von monokristallinem Halbleiter-Silizium Die hochreinen Wärmefeldmaterialien von SIAMC spielen eine entscheidende Rolle bei der Herstellung von Silizium-Halbleiter-Einkristallöfen.SIAMC kann großformatige Wärmefeldmaterialien mit einer Größe von 36 Zoll oder mehr und einer Graphitreinheit von bis zu 5 p herstellen weiterlesen
  • Elektronische Herstellung von Polysilizium
    Herstellung von elektronischem Polysilizium Die hochreinen Graphitkeimbrocken von SIAMC werden häufig bei der Herstellung von Polysilizium in elektronischer Qualität nach dem Siemens-Verfahren verwendet.Die Reinheitsanforderung an Samenstücke beträgt bis zu 5 ppm.Der Graphit von SIAMC erfüllt diese hohe Reinheitsanforderung und bietet hervorragende thermische Eigenschaften weiterlesen
  • Ionenimplantation und Plasmaätzen
    Ionenimplantation und PlasmaätzenDie Graphitprodukte von SIAMC werden aufgrund ihrer hervorragenden Hitzebeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit, ihres geringen Verunreinigungsgehalts und ihrer Korrosionsbeständigkeit durch Ionenstrahlen häufig in Ionenimplantations- und Plasmaätzgeräten verwendet. Bei der Ionenimplantation wird hochreiner Graphit verwendet weiterlesen
SIAMC Advanced Materials Co., Ltd. wurde 2007 mit einem Grundkapital von 610 Millionen RMB gegründet und 2021 in eine Aktiengesellschaft umstrukturiert.

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